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J-GLOBAL ID：200903054943635739

太陽電池素子およびその製造方法

Inventor： 石川 周太郎 ,  高橋 宏明
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001392773
Publication number (International publication number)：2003197932
Application date： Dec. 25, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 直列抵抗の増大が少なく、かつ電極側への少数キャリアの拡散を抑制し、オーミックコンタクト電極部のキャリア再結合を低減するコンタクト構造を有する高効率化な太陽電池素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の一主面側に微細な突起を多数設けると共に、逆導電型半導体不純物を含有させ、このシリコン基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した太陽電池素子であって、上記シリコン基板の一主面側の電極下部のシート抵抗が10〜40Ω/□となり、一主面側の電極下部以外のシート抵抗が60〜300Ω/□となるように上記逆導電型半導体不純物を含有させた。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の一主面側に微細な突起を多数設けると共に、逆導電型半導体不純物を含有させ、このシリコン基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の一主面側の電極下部のシート抵抗が10〜40Ω/□となり、この一主面側の電極下部以外のシート抵抗が60〜300Ω/□となるように前記逆導電型半導体不純物を含有させたことを特徴とする太陽電池素子。

F-Term (11)：

5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB18 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA22 ,  5F051FA24 ,  5F051GA03 ,  5F051HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 太陽電池の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-363379   Applicant：エア・ウォーター株式会社
• 太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-008328   Applicant：シャープ株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-224727   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭62-123778