Pat

J-GLOBAL ID：200903054952375316

スルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体

Inventor： 鳥羽 泰正 ,  安池 円 ,  山口 岳男
Applicant, Patent owner： 東洋インキ製造株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992089535
Publication number (International publication number)：1993255347
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 光および/または熱エネルギーの付与により活性なラジカルを発生するスルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体に関する。【構成】 一般式(1)で表される錯体。(ただしR1およびR2はアリール基を、R3はフェナシル基、ベンジル基もしくはアリル基を、R4は酸素原子もしくは孤立電子対を、R5〜R8はアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、脂環基より選ばれる基を示し、R5〜R8全てが同時にアリール基となることはない。)【効果】 一般式(1)の錯体は、スルホニウムカチオンまたはオキソスルホニウムカチオン上の置換基として、フェナシル基、ベンジル基もしくはアリル基を導入することによって、光および/または熱エネルギーの付与により、効率よくフリーラジカルを発生する。

Claim (excerpt)：

光および/または熱エネルギーの付与により活性なラジカルを発生することを特徴とする一般式(1)で表されるスルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体。一般式(1)(ただしR1 およびR2 は置換基を有してもよいアリール基を、R3 は置換基を有してもよいフェナシル基、置換基を有してもよいベンジル基もしくは置換基を有してもよいアリル基を、R4 は酸素原子もしくは孤立電子対を、R5 、R6 、R7 およびR8 はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基、置換基を有してもよい脂環基より選ばれる基を示し、R5、R6 、R7 およびR8 全てが同時に置換基を有してもよいアリール基となることはない。)

IPC (3)：

C07F 5/02 ,  C07C381/12 ,  C08F 4/00 MFJ