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J-GLOBAL ID：200903054953706499

マスク上のLSIチップレイアウト方法

Inventor： 中川 浩司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016786
Publication number (International publication number)：1993217834
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フォトリソ工程時、イメージ露光、現像を行った場合、ウェハ周辺部において、不完全チップができるため、パターンはがれ等により工程歩留まりの低下を引き起こすのを防止すること。【構成】 マスク上にLSI用窓開けパターンとは別にブランクパターンとして機能する窓開けパターンを配置しておき、ウェハー周辺部での不完全チップのところにブランクパターンの窓開けパターンをも露光する。【効果】 1.パターンプロファイルのくずれたレジストパターンを削除することができ、リフトオフなどの工程不良をなくすことができ、工程歩留りを向上できる。2.ウェハ周辺部での不完全チップの影響により、複数チップの乗っているマスクでは、不完全チップを乗せないために、同一ショット内の完全チップもウェハ上に乗せることが困難であったのを、不完全チップのみを削除することにより、完全チップの乗り数を増加できる。

Claim (excerpt)：

LSI用窓開けパターンで構成されるLSIレチクルの中にブランクパターンとして機能する窓開けパターンに窓を有するレチクルマスクの、LSIパターンのみを、まず露光し、続いて、そのレチクルマスクを、LSIパターン露光領域のうちの不完全チップパターン露光領域上にブランクパターンの上記窓開けパターンを重ねて配置して、そのブランクパターンの窓開けパターンを露光することからなるマスク上のLSIチップレイアウト方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 K