Pat

J-GLOBAL ID：200903054960488669

磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド

Inventor： 中林 敬哉 ,  道嶋 正司 ,  出口 治彦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997298084
Publication number (International publication number)：1999135856
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 抵抗変化率が大きく、高い磁界感度をもつ磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドを得る。【解決手段】 磁気抵抗効果膜は、第1磁性層12、非磁性層13、第2磁性層14、ピン止め層15から構成され、前記ピン止め層15が、希土類-遷移金属合金から成るフェリ磁性体であり、前記フェリ磁性体の組成は補償組成より希土類組成が大きく、前記フェリ磁性体の飽和磁化と膜厚との積が、第2磁性層14の飽和磁化と膜厚との積と同じか、あるいはそれ以上であるため、隣接する第2磁性層14の磁化は遷移金属原子の磁気モーメント方向に固定されるが、フェリ磁性層の見かけの磁化は希土類原子の磁気モーメント方向(第2磁性層の磁化とは反対の方向)に残るため、第2磁性層14からの漏れ磁場を低減することができ、結果として抵抗変化率が大きく、感度の高い磁気抵抗効果膜を得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

第1磁性層(フリー層)、非磁性層、第2磁性層(ピン層)、ピン止め層から構成され、第2磁性層の磁化の向きをピン止め層により固定し、第1磁性層の磁化の向きが外部磁場に対して自由に回転し、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化のなす角によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子において、前記ピン止め層が希土類(RE)-遷移金属(TM)合金からなるフェリ磁性体で形成され、前記希土類-遷移金属合金の組成が補償組成より希土類組成が大きく、前記フェリ磁性体の飽和磁化と膜厚との積が、第2磁性層の飽和磁化と膜厚との積に等しいか、あるいはそれ以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00