Pat

J-GLOBAL ID：200903054963186051

エピタキシャルウェハーの製造方法

Inventor： 田中 博
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320229
Publication number (International publication number)：1993160052
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 1回のエピタキシャル成長により2枚のエピタキシャルウェハーを得る。【構成】 1枚のGaAs基板ウェハー2の両面にエピタキシャル成長法によってGaAlAs化合物半導体から成るエピタキシャル層7,7を形成した後、GaAs基板ウェハー2のみを選択的にエッチングを行う事により、GaAs基板ウェハー2の両面に形成した該エピタキシャル層7,7を基板ウェハー2より分離し、2枚のGaAlAsエピタキシャルウェハーを得る。

Claim (excerpt)：

結晶面方位(100)なるGaAs基板ウェハーの両面にエピタキシャル成長法によって、GaAlAs化合物半導体からなるエピタキシャル層を形成した後、前記GaAs基板ウェハーのみを選択的にエッチングを行う事により、前記GaAs基板ウェハーの両側に形成したエピタキシャル層を前記基板ウェハーより分離し、2枚のGaAlAsエピタキシャルウェハーを得る事を特徴とするエピタキシャルウェハーの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/208 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/302 ,  H01L 33/00