多孔性低誘電率材料のための紫外線硬化処理

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (9)：萼経夫 , 宮崎嘉夫 , 舘石光雄 , 小野塚薫 , ▲高▼ 昌宏 , 中村壽夫 , 加藤勉 , 村越祐輔 , 小宮知明
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003529517
Publication number (International publication number)：2005503673
Application date： Sep. 13, 2002
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】改善した弾性率及び低誘電体を有する多孔性誘電体材料を製造すること。【解決手段】改善した弾性率を有する低誘電率の多孔性材料。この多孔性材料の製造方法は、多孔性誘電体材料を用意し、紫外線硬化された多孔性誘電体材料を生じるために紫外線硬化処理する段階を含む。この材料の紫外線硬化は、改善された弾性率と低誘電率を有する材料を作り出す。この弾性率は、約50%以上改善される。この多孔性誘電体材料は、ほぼ450°C未満の温度で約300秒間、紫外線硬化処理される。この紫外線硬化された多孔性誘電体材料は、選択的にポスト紫外線処理される。紫外線硬化された多孔性誘電体材料の急速アニール処理(RAP)が、材料の誘電率を減少させるし、一方、紫外線硬化された多孔性誘電体材料に比較されるほど改善された弾性率を維持する。アニーリング温度は、約450°C未満であり、その処理時間は、60分未満である。ポスト紫外線処理され、紫外線硬化された多孔性誘電体材料は、約1.1〜約3.5の範囲の誘電率と改善された弾性率を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

改善された特性を有する紫外線硬化された材料を製造するための方法であって、第1の誘電率及び第1の弾性率とを有する多孔性誘電体材料を用意し、この多孔性誘電体材料を紫外線硬化させ、前記第1の誘電率と同程度の第2の誘電率を有するとともに前記第1の弾性率よりも大きい第2の弾性率を有する、前記紫外線硬化された多孔性誘電体材料を製造する、各ステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (1)：

H01L21/312

FI (1)：

H01L21/312 C

F-Term (23)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA35 , 4K030BB00 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030JA13 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF01 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG07 , 5F058AG09 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

絶縁膜形成材料、並びにこれを用いた絶縁膜形成方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-196064 Applicant：富士通株式会社
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-140923 Applicant：ジェイエスアール株式会社
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-174345 Applicant：ジェイエスアール株式会社

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