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J-GLOBAL ID:200903054994771254

赤外線ランプアニール装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994133491
Publication number (International publication number):1996008206
Application date: Jun. 16, 1994
Publication date: Jan. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】ウェーハ24を急速加熱及び急速冷却してアニール処理する赤外線ランプアニール装置において、ウェーハ24面内の温度均一性を向上させる。【構成】容器3の外周囲を囲むように複数の赤外線ランプ1を配設し、この環状に並べられた赤外線ランプ1をベルト駆動により回転させ、半導体ウェハ4の中心を軸に回転させて、ウェーハ24の各部に対応する個々の赤外線ランプ1との距離および位置を瞬時に変え、個々の赤外線ランプの放射強度分布が相殺されてウェーハ24の各部に照射される赤外線光量が一様に平均化されるようにしている。
Claim (excerpt):
ガスの供給口とガスの排出口を一端に有し他端に開口をもつとともに水平に載置され光を透過し得る容器と、この容器の前記開口より収納される半導体基板である一枚のウェーハを点接触で水平に支持する複数の支持体と、前記開口を塞ぐ蓋と、前記容記の外周囲を囲むように配列された複数の赤外線ランプと、この環状に並べられた複数の前記赤外線ランプを前記容器の周りを回転させる回転機構とを備えることを特徴とする赤外線ランプアニール装置。
IPC (3):
H01L 21/26 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/324
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-107818
  • 特開平3-089517
  • 特開昭61-073324

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