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J-GLOBAL ID：200903055012191450

半導体レーザ・ダイオード

Inventor： フリッツ・グフェラー ,  ハインツ・イェッケル ,  ハインツ・マイナー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992304262
Publication number (International publication number)：1993235476
Application date： Nov. 16, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高出力で高信頼性及び長寿命のレーザ・ダイオードを提供する。【構成】能動層14を、能動層とは異なるバンドギャップの上側クラッド層15と下側クラッド層13の間に挟み、導波管を形成する。導波管は、ファセット22、23の付近で導波管を折り曲げる表面パターン12をもつ基板11上に付着させる。レーザ光線21は、導波管の折れ曲がり部分から出ていき、バンドギャップのより広いクラッド層材料15fを通って吸収されずかつ偏向されずにミラー・ファセット22まで進む。層状構造の成長中に使用される両性ドーパントは、傾斜表面領域12i1,12i2の上に付着された半導体材料内部で導電型の反転を引き起こす。このようにして、横方向の電流がファセット領域に届かないように働く接合27が形成される。

Claim (excerpt)：

より広いバンドギャップを持つクラッド層間に挟まれた能動層を有し、これらの層が、一端にあるミラー・ファセットから放出されるレーザ光線を発生するための導波ガイドを形成する半導体レーザ・ダイオードにおいて、前記各層がその上に積層される表面を有し、この表面に前記導波ガイドに沿って平面領域、これに隣接する傾斜領域、及びこの傾斜領域と前記ミラー・ファセット間の平面領域を有する基板と、前記クラッド層内に含まれ、前記傾斜領域上の前記クラッド層の導電型を、前記平面領域上の前記クラッド層の導電型とは異なるものにする、両性ドーパントと、を有することを特徴とする、半導体レーザ・ダイオード。