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J-GLOBAL ID：200903055016302788

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991290720
Publication number (International publication number)：1994013627
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 フローティングゲイトを有するMOS型半導体装置において、集積度を高め、かつ、作製歩留りの向上を目的とする。【構成】 半導体基板上に、凸状の部分を設け,その側面に、半導体被膜を形成して、これをフローティングゲイト103とし、この半導体被膜を覆って,ゲイト電極104を設けた構造を有するMOS型半導体装置。特に、このような半導体装置を多数形成して、各半導体装置のその凸状の部分の頂部は、不純物領域として,ここにコンタクトを形成して、ゲイト配線と直行する配線を設けた不揮発性のMOSメモリー装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられ、その頂上部に高濃度に不純物の添加された領域を有する凸状の部分と、その側面に沿って形成された半導体被膜と、前記半導体被膜の一部もしくは全部を覆って形成されたゲイト電極とを有することを特徴とするMOS型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-309680
  
• 特開昭62-269363
  
• 特開昭61-256673