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J-GLOBAL ID：200903055018107540

成膜方法

Inventor：
立花 光博

About 立花 光博

, 
米永 富廣

About 米永 富廣


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002177191
Publication number (International publication number)：2003142425
Application date： Jun. 18, 2002
Publication date： May. 16, 2003
Summary：
【要約】【課題】 低温のプロセス温度によるタングステン膜の形成工程を用いることで、バリヤ層として十分な膜厚を得るために従来行われた熱CVDによるTiN膜の形成工程を省略することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能な処理容器内にて被処理体Wの表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜32を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜34を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回、或いは複数回繰り返し供給しつつ比較的低温でタングステン膜36を形成するタングステン膜形成工程と、を有する。これにより、バリヤ層として十分に機能するタングステン膜を形成する。
Claim (excerpt)：
真空引き可能な処理容器内にて被処理体の表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回、或いは複数回繰り返し供給しつつ比較的低温でタングステン膜を形成するタングステン膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/06
FI (3)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/06
F-Term (20)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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