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J-GLOBAL ID:200903055018262058
合成ダイヤモンド膜の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宇井 正一 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993279208
Publication number (International publication number):1994191990
Application date: Nov. 09, 1993
Publication date: Jul. 12, 1994
Summary:
【要約】【目的】 所望の厚さを有する、支持されていない合成ダイヤモンド膜を製造する方法を提供する。【構成】 基材を用意する工程、製造するダイヤモンドの目標の厚さを選ぶ工程、基材表面を予め決められた粗さに仕上げる工程、基材上に中間層を付着させる工程、合成ダイヤモンドをCVDによりほぼ目標の厚さまで堆積させる工程、冷却してダイヤモンド膜を剥離する工程を含む。
Claim (excerpt):
次に掲げる諸工程を含む、所望の厚さの支持なし合成ダイヤモンド膜を製造するための方法。基材を用意する工程製造すべきダイヤモンドの、200〜1000μmの範囲内にある目標の厚さを選択する工程基材の表面を、当該目標の厚さの関数である粗さであって、 0.38t/600 μm ≦ R<SB>A </SB>≦ 0.50 μm 200 μm < t ≦ 600 μm 0.38 μm ≦ R<SB>A </SB>≦ 0.50 μm 600 μm < t < 1000 μm から決められる粗さR<SB>A </SB>(tは目標の厚さ)に仕上げる工程基材上に1〜20μmの範囲の厚さの中間層を付着させる工程この中間層の上に合成ダイヤモンドを化学気相成長によりほぼ上記の目標の厚さまで堆積させる工程この合成ダイヤモンドを冷却してその剥離を果たす工程
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