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J-GLOBAL ID：200903055024530170

多結晶シリコン薄膜およびその形成法

Inventor： 山本 憲治
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992309355
Publication number (International publication number)：1994140325
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高速ランプアニール法によってもガラス基板上に形成することができる大粒径の多結晶シリコン薄膜およびその形成法を提供する。【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜3は、アモルファスカーボンの薄膜2が形成されたガラス基板1上に形成されてなるものである。また、本発明の多結晶シリコン薄膜3の形成法は、ガラス基板1上にアモルファスカーボンの薄膜2を形成した後、該ガラス基板上に多結晶シリコン薄膜を形成するものである。

Claim (excerpt)：

アモルファスカーボンの薄膜が形成されたガラス基板上に形成されてなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平1-201968