不純物注入量計測装置および不純物注入量計測方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001028779
Publication number (International publication number)：2002231652
Application date： Feb. 05, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】ウェハーへの不要なイオン注入量を精度よく計測できるようにする。【解決手段】イオンソース部1からのイオンビームが質量分析部2で特定のイオン種が選択され、そのイオンビームが加速部3で加速されて所定の注入エネルギーとなされた状態で、エンドステーション部6内の半導体基体11の面上に到達することで、半導体基体へのイオン注入が行われる。ウェハーに近接した位置から不要な不純物のイオンビームを取り込んで質量分析部24に送り、その磁場をスイープさせることで質量の異なるイオンビームを通過させて検出ファラディー36に導く。イオンビームを中和させるため計測器40からビーム電流を流し、このビーム電流からイオンビーム(不要な不純物)のウェハーへの注入量を計測する。ウェハーへの特定のイオン注入と同時に不純物のウェハーへの注入量を直接計測できるので、計測精度が高い。リアルタイム計測が可能である。

Claim (excerpt)：

半導体基体へのイオン注入に対しては不要となる不純物のイオンビームを取り込むイオンビーム取り込み口と、取り込んだイオンビームのイオン種を選択する質量分析部と、選択したイオン種のイオンビームを導く検出ファラディーと、この検出ファラディーに接続された上記イオンビームの注入量を計測する計測器とで構成されたことを特徴とする不純物注入量計測装置。

IPC (4)：

H01L 21/265 , H01J 37/05 , H01J 37/244 , H01J 37/317

FI (4)：

H01J 37/05 , H01J 37/244 , H01J 37/317 C , H01L 21/265 T

F-Term (10)：

5C033AA01 , 5C033AA03 , 5C033NN08 , 5C033NP01 , 5C033NP04 , 5C034CC07 , 5C034CD03 , 5C034CD04 , 5C034CD06 , 5C034CD07

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