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J-GLOBAL ID：200903055040085828

透明導電膜の製造方法

Inventor： 北村 真 ,  蔦尾 友重
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995016731
Publication number (International publication number)：1996209338
Application date： Feb. 03, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 抵抗膜方式のタブレット用透明電極として要求される初期性能および信頼性を満足する透明導電膜の製造方法を提供する。【構成】 SiO2 が2.2〜3.2重量%、残部がZnOからなる焼結体をスパッタリングターゲットとして、スパッタリングする。

Claim (excerpt)：

SiO2 が2.2〜3.2重量%、残部がZnOからなる焼結体をスパッタリングターゲットとして、スパッタリングすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503