Pat

J-GLOBAL ID：200903055048791365

酸化ルテニウムの成膜方法

Inventor： 小林 一三 ,  岡田 勝
Applicant, Patent owner： 日本酸素株式会社 ,  岡田 勝
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068877
Publication number (International publication number)：1994283438
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高純度なDPMのRu錯体(Ru(DPM)3)を用いて高特性のRuO2膜を安定して成膜できるCVD法プロセスの提供を目的としている。【構成】 ジピバロイルメタネートルテニウムを原料とし、化学気相析出法により酸化ルテニウムを基材上に成膜することを特徴とする酸化ルテニウムの成膜方法である。【効果】 本発明によれば、酸化物膜の成膜法として好適なCVD法によって、電極などとして優れた特性を有する酸化ルテニウム膜を安定して成膜することが可能である。

Claim (excerpt)：

ジピバロイルメタネートルテニウムを原料とし、化学気相析出法により酸化ルテニウムを基材上に成膜することを特徴とする酸化ルテニウムの成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40