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J-GLOBAL ID：200903055049068381

磁気抵抗効果センサ

Inventor： 近藤 玲子 ,  岩崎 仁志 ,  秋山 純一 ,  大沢 裕一 ,  大田 俊彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076774
Publication number (International publication number)：1993250642
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、磁気記録媒体等からの磁界によりバイアス磁界が乱されることなくMR膜へ所望のバイアス磁界が付与できる高感度な磁気抵抗効果センサを提供することを目的とする。【構成】 基板、磁気抵抗効果層、前記磁気抵抗効果層の磁化を安定化させる磁化安定化層及び前記磁気抵抗効果層若しくは前記磁化安定化層上に形成された導電層を具備し、前記磁気抵抗効果層の電気抵抗の変化により磁界を検出する磁気抵抗効果センサであって、前記磁気抵抗効果層と前記磁化安定化層とがその両端部領域において、それ以外の領域より強い交換結合力で積層されたことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板、磁気抵抗効果層、前記磁気抵抗効果層の磁化を安定化させる磁化安定化層及び前記磁気抵抗効果層若しくは前記磁化安定化層上に形成された導電層を具備し、前記磁気抵抗効果層の電気抵抗の変化により磁界を検出する磁気抵抗効果センサであって、前記磁気抵抗効果層と前記磁化安定化層とがその両端部領域において、それ以外の領域より強い交換結合力で積層されたことを特徴とする磁気抵抗効果センサ。