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J-GLOBAL ID：200903055062231798

化合物半導体素子およびその製造方法

Inventor： 波多野 吾紅 ,  大場 康夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000101084
Publication number (International publication number)：2000311865
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高品質のGax Aly In1-x-y Nを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板と、この基板上に形成されたMgを含むGax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)からなるバッファー層と、このバッファー層上に形成されたMgを含むp型Gax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)層とを具備することを特徴とする化合物半導体素子。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成されたMgを含むGax Aly In1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなるバッファー層と、このバッファー層上に形成されたMgを含むp型Gax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)層とを具備することを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323