波長変換型半導体素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山崎輝緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001040876
Publication number (International publication number)：2002246648
Application date： Feb. 16, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、反射面として機能する電極の反射率を高めると共に、接触抵抗を低減するようにした、波長変換型半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 pn接合を構成する下方のp型層13及び上方のn型層12と、これらの上方に配設された波長変換材17と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極14と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極16と、を含む波長変換型半導体素子10であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層16aと、導電性透明酸化物層16bと、から構成されるように、波長変換型半導体素子10を構成する。

Claim (excerpt)：

pn接合を構成する下方のp型層及び上方のn型層と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極と、を含む半導体素子であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層と、導電性透明酸化物層と、から構成されていることを特徴とする、半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 H

F-Term (38)：

4M104AA04 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104EE05 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH09 , 4M104HH20 , 5F041AA14 , 5F041CA02 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041CB15 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA43 , 5F041DB09 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-331012 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-334574 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-191476 Applicant：スタンレー電気株式会社

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