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J-GLOBAL ID：200903055069184671

複合酸化物薄膜の製造方法

Inventor： 白川 幸彦 ,  佐藤 美穂子 ,  山本 恭之
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995135372
Publication number (International publication number)：1996325720
Application date： Jun. 01, 1995
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：

【要約】【目的】スパッタリング法を用いた複合酸化物薄膜の製造方法において、これより形成される薄膜の膜厚及び膜組成の不均一性を改善する方法の提供を目的とする。【構成】複合酸化物薄膜をスパッタリング法で形成する方法において、少なくとも複数の独立にスパッタリング電力を供給されるスパッタリングカソードを同一成膜室中に備え、各カソード上を移動する基板上に薄膜を形成する成膜装置を用い、それぞれのカソードには目的とする複合酸化物の少なくとも一部の金属元素を含むターゲットを装着し、各カソードに独立に電力を供給し同時スパッタリングを行い、各カソードには特定の形状を持った開口部を有する膜組成補正装置を特徴とする、複合酸化物薄膜の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

複数のスパッタリングカソードを同一成膜室中に備え、それぞれのカソードには目的とする複合酸化物の少なくとも一部の金属元素を含むターゲットを装着したスパッタリング装置を用いて、各カソードに独立に電力を供給し同時スパッタリングを行い、各カソード上を移動する基板上に薄膜を形成する複合酸化物薄膜の製造方法において、各カソードには開口部を有する膜組成補正装置を有することを特徴とする、複合酸化物薄膜の製造方法。

IPC (8)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 41/24 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22

FI (9)：

C23C 14/34 G ,  C23C 14/34 C ,  C23C 14/08 K ,  C30B 23/08 P ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/316 Y ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22 ,  H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 誘電体薄膜の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-321573   Applicant：松下電器産業株式会社