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J-GLOBAL ID：200903055070592783

蛍光体薄膜の製造方法

Inventor： 大塩 祥三 ,  山本 睦 ,  桑田 純 ,  松岡 富造
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156573
Publication number (International publication number)：1993006792
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高効率の蛍光体薄膜を得ることを目的とする。【構成】 各原料の供給はガス輸送によって行なわれる。Zn蒸気とS蒸気を基板10に同時に供給して3〜100Åの厚みのZnS母体を形成した後、ストップバルブ15を操作してZn蒸気とS蒸気の供給を停止し、次に塩化マンガン蒸気を供給する。ZnS母体に塩化マンガンを化学吸着させた後、硫化水素ガス14を供給して基板表面における化学反応によりMnSとする。上記工程を繰り返し所定の厚みとする事によって高効率のZnS:Mn蛍光体薄膜を製造できる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体である蛍光体母体薄膜の形成と、化合物半導体中で蛍光体の発光中心となり得る元素または分子の添加とを個別に行う蛍光体薄膜の製造方法であって、前記発光中心となり得る元素または分子を、基板表面に交互に間欠的に供給された2種類以上の元素または化合物の基板表面に於ける化学反応によって、前記蛍光体薄膜母体に添加することを特徴とする蛍光体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/14 ,  C09K 11/00 ,  H05B 33/10