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J-GLOBAL ID：200903055084502418

半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置

Inventor： 日笠 浩一 ,  宇野 圭輔 ,  木村 勇
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994040461
Publication number (International publication number)：1995225240
Application date： Feb. 14, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 信頼性の高い半導体加速度センサ装置を提供する。【構成】 フレーム3の開口部3a中央にマス部4を2本のビーム5により弾性自在にフレーム3に片持ち状に支持させ、フレーム3上面の開口部3a外周域に角枠状の阻止部2を設けて加速度センサAを作成する。加速度センサAを実装基板19上に載置し、ビーム5上面に形成されたピエゾ抵抗素子と接続された電極パッド7と実装基板19上の接続端子9とをボンディングワイヤ8で接続したのち、阻止部2の周辺部から加速度センサチップ1及びボンディングワイヤ8を包むようにしてモールド樹脂によりモールドして樹脂部10を形成し、加速度センサ装置A1を得る。【効果】 加速度センサAの感度が低下することなく、実装基板19に樹脂モールドすることができ、落下衝撃等によっても加速度センサAは破損されない。

Claim (excerpt)：

弾性を有するビームと前記ビームにより検知基板に弾性自在に支持させたマス部とからなる検知部を露出させた半導体加速度センサチップと、前記検知基板上面の前記検知部外周域に設けた枠状のモールド樹脂阻止部とを備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/12 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84