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J-GLOBAL ID：200903055090073219

炭化珪素半導体素子及びその絶縁膜の形成方法

Inventor： 吉川 正人 ,  伊藤 久義 ,  北畠 真 ,  山下 賢哉 ,  楠本 修 ,  内田 正雄 ,  高橋 邦方 ,  宮永 良子
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所 ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002003834
Publication number (International publication number)：2003209251
Application date： Jan. 10, 2002
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 炭化珪素半導体素子の絶縁膜/炭化珪素界面において、半導体素子として十分な界面準位密度を減少させた絶縁膜及びその形成方法。【解決手段】 表面に2原子層以上の高さを有するステップを含む炭化珪素基板と、上記炭化珪素基板表面に形成された酸化膜を含み、酸化膜と炭化珪素の界面準位密度が1.5×1012cm-2以下であることを特徴とする、炭化珪素半導体素子、および酸素を含む雰囲気下で複数の設定温度に保ってアニール処理を施す炭化珪素半導体素子の絶縁膜の形成方法であって、1回目のアニール処理に続いて、上記1回目のアニール処理設定温度よりも低い設定温度で2回目のアニール処理を施し、少なくとも2つ以上の異なる設定温度で保たれた酸素を含む雰囲気下でのn回(n≧2)のアニール処理を行う、炭化珪素半導体素子の絶縁膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

表面に2原子層以上の高さを有するステップを含む炭化珪素基板と、上記炭化珪素基板表面に形成された酸化膜を含み、酸化膜と炭化珪素の界面準位密度Nitが1.5×1012cm-2以下であることを特徴とする、炭化珪素半導体素子。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 658 F

F-Term (7)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BH03 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-367420   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-077876   Applicant：株式会社デンソー