Pat

J-GLOBAL ID：200903055093820023

パターン形成方法

Inventor： 富沢 茂 ,  佐藤 和昭 ,  菅原 臣敏 ,  細川 和行 ,  山脇 清吾
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303088
Publication number (International publication number)：1995161712
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は基板上に微細パターンを形成するパターン形成方法に関し、高品質な微細パターンを形成することを目的とする。【構成】 支持基板21上に絶縁膜22が形成され、この上にCr金属層23、Cu導体層24、Cr膜26をスパッタリングにより順次形成し、パターン形成部分にレジスト27を形成する。そして、レジスト27領域以外の不要な部材を除去し、レジスト27及びCrエッチング膜26aを除去する構成とする。

Claim (excerpt)：

支持基板(21)上に、絶縁膜(22)を介して導体膜(25)を形成する工程と、前記導体膜(25)上に非酸化金属膜(26)を形成する工程と、前記非酸化金属膜(26)のパターン形成部分に感光性絶縁部材(27)を形成する工程と、前記絶縁膜(22)上の前記感光性絶縁部材(27)の領域以外の不要な部材を除去する工程と、前記パターン形成部分の前記感光性絶縁部材(27)及び前記非酸化金属膜(26a)を除去する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-067655
  
• 特開平3-152807
  
• 特開昭61-256731
  
• 特開平2-045996
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004347   Applicant：日本電気株式会社