パターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303088
Publication number (International publication number)：1995161712
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は基板上に微細パターンを形成するパターン形成方法に関し、高品質な微細パターンを形成することを目的とする。【構成】支持基板21上に絶縁膜22が形成され、この上にCr金属層23、Cu導体層24、Cr膜26をスパッタリングにより順次形成し、パターン形成部分にレジスト27を形成する。そして、レジスト27領域以外の不要な部材を除去し、レジスト27及びCrエッチング膜26aを除去する構成とする。

Claim (excerpt)：

支持基板(21)上に、絶縁膜(22)を介して導体膜(25)を形成する工程と、前記導体膜(25)上に非酸化金属膜(26)を形成する工程と、前記非酸化金属膜(26)のパターン形成部分に感光性絶縁部材(27)を形成する工程と、前記絶縁膜(22)上の前記感光性絶縁部材(27)の領域以外の不要な部材を除去する工程と、前記パターン形成部分の前記感光性絶縁部材(27)及び前記非酸化金属膜(26a)を除去する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

FI (2)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-067655
特開平3-152807
特開昭61-256731

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