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J-GLOBAL ID:200903055143989660
半導体レーザ素子の樹脂モールド方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山口 巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991152066
Publication number (International publication number):1993003371
Application date: Jun. 25, 1991
Publication date: Jan. 08, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】樹脂モールド半導体レーザ素子の保護樹脂とモールド樹脂間の剥離をなくす。【構成】第一の方法は、保護樹脂7の表面にシランカップリング剤8を塗布した後、全体をモールド樹脂6で被覆し、第二の方法は、保護樹脂7の表面に短波長の紫外線を照射した後、全体をモールド樹脂6で被覆するものであり、いずれも保護樹脂として用いるシリコーン樹脂のモールド樹脂(エポキシ樹脂)に対する密着性を改善することにより、保護樹脂7とモールド樹脂6間で剥離が生ずるのをなくし、樹脂モールド後の半導体レーザ素子の歩留りを高める。
Claim (excerpt):
透明樹脂を用いて半導体レーザ素子を樹脂モールドするに際して、まず劈開面を含み半導体チップを保護樹脂で被覆した後、その表面にシランカップリング剤を塗布し、さらに全体をモールド樹脂で被覆することを特徴とする半導体レーザ素子の樹脂モールド方法。
IPC (4):
H01S 3/18
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
Patent cited by the Patent: