Pat
J-GLOBAL ID:200903055147245240

プラズマエッチング用電極板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高畑 正也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992157515
Publication number (International publication number):1993320955
Application date: May. 25, 1992
Publication date: Dec. 07, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体デバイスの高集積度化を高製品歩留で達成し、かつエッチング速度の安定化と電極寿命を向上しえるプラズマエッチング用電極板を提供する。【構成】 下記の性状を備えるガラス状カーボンからなるプラズマエッチング用電極板。純度特性:総灰分5ppm 以下、金属不純物2ppm 以下、総硫黄分30ppm 以下結晶特性:結晶面間隔(002)0.375nm以下、結晶子(002) の大きさ1.3nm 以上材質特性:比重1.50以上、曲げ強度1100kgf/cm2 以上上記の性状に加えて、含有ポアーの大きさが1μm 未満で、ポアー含有率が5%未満の材質組織を有することが好ましい。
Claim (excerpt):
純度特性が総灰分5ppm 以下、金属不純物2ppm 以下、総硫黄分30ppm 以下で、結晶特性が結晶面間隔(002) 0.375nm 以下、結晶子(002) の大きさが 1.3nm以上で、かつ材質特性が比重1.50以上、曲げ強度が1100kgf/cm2以上の性状を備えるガラス状カーボンからなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
IPC (2):
C23F 4/00 ,  H01L 21/302

Return to Previous Page