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J-GLOBAL ID：200903055160322220

縦型電界効果トランジスタ、相補型の縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 杉山 龍男 ,  玉置 徳彦 ,  中岡 弘明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995142005
Publication number (International publication number)：1996335699
Application date： Jun. 08, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 縦型電界効果トランジスタの特性を安定させると共に、チャネル長を高精度に制御できるようにする。【構成】 半導体基板10上に、P- 型のウェル層12、N+ 型のドレイン(又はソース)層13A、P- 型のチャネル層14A、N+ 型のソース(又はドレイン)層15Aが縦型に形成されていると共に、N- 型のウェル層17、P+型のドレイン(又はソース)層18A、N- 型のチャネル層19A、P+ 型のソース(又はドレイン)層20Aが縦型に形成されている。P- 型のチャネル層14A及びN- 型のチャネル層19Aの側面にはそれぞれゲート電極24Aが形成されている。P- 型のチャネル層14A及びN- 型のチャネル層19Aの各不純物分布には複数の濃度ピークが形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されており、第1導電型の不純物が添加されたソース層又はドレイン層となる第1の不純物層と、前記第1の不純物層の上に形成されており、第2導電型の不純物が添加されたチャネル層となる第2の不純物層と、前記第2の不純物層の上に形成されており、第1導電型の不純物が添加されたドレイン層又はソース層となる第3の不純物層と、前記第2の不純物層の側面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、前記第2の不純物層は第2導電型の不純物分布に複数の濃度ピークを有していることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 656 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭61-206253
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-222896   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平2-066969