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J-GLOBAL ID：200903055167024160

多層薄膜状光触媒の作製方法、およびその多層薄膜状光触媒を用いた水素の製造方法

Inventor：
粕谷 厚生

About 粕谷 厚生

, 
田路 和幸

About 田路 和幸


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001355461
Publication number (International publication number)：2003154272
Application date： Nov. 21, 2001
Publication date： May. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】 太陽光の波長のほぼ全域で作用する化合物半導体薄膜からなる多層光触媒の作製方法と、該多層光触媒を用いた水素製造方法とを提供する。【解決手段】 化合物半導体原料となる化学種を含有してなる溶液に、導電性基材を陰極とし、参照電極および対向電極とともに浸漬し、該基材の表面に、第1の化合物半導体層および、該第1の化合物半導体層のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する第2の化合物半導体層を電析により順次、或いは両半導体の混晶比を傾斜的に変化させて析出・固定化させて多層薄膜状光触媒を作製する。また、該多層薄膜状光触媒をアルカリ性溶液に浸漬し、光を照射することによって水素ガスを製造する。
Claim (excerpt)：
化合物半導体原料となる化学種を含有してなる溶液に導電性基材を浸漬し、該基材表面に、第1の化合物半導体層および、該第1の化合物半導体層のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する第2の化合物半導体層を電析により順次、或いは両半導体の混晶比を傾斜的に変化させて析出・固定化させることを特徴とする多層薄膜状光触媒の作製方法。
IPC (6)：
B01J 27/04 ,  B01D 53/86 ,  B01J 35/02 ZAB ,  B01J 37/02 301 ,  C01B 3/04 ,  C25D 9/04
FI (6)：
B01J 27/04 A ,  B01J 35/02 ZAB J ,  B01J 37/02 301 N ,  C01B 3/04 A ,  C25D 9/04 ,  B01D 53/36 J
F-Term (33)：
4D048AA03 ,  4D048AA21 ,  4D048AA22 ,  4D048AB03 ,  4D048BA16X ,  4D048BA32Y ,  4D048BA39X ,  4D048BA46X ,  4D048BB03 ,  4D048BB16 ,  4D048CC63 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA17 ,  4G069BA48A ,  4G069BB09A ,  4G069BB09B ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BC36A ,  4G069BC36B ,  4G069BC70A ,  4G069CA02 ,  4G069CA04 ,  4G069CA05 ,  4G069CA10 ,  4G069CA17 ,  4G069CC33 ,  4G069EC27 ,  4G069EC29 ,  4G069FA03 ,  4G069FB11 ,  4G069FB21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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