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J-GLOBAL ID：200903055202231041

シリコン太陽電池の製造方法

Inventor： 松野 吉徳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999128572
Publication number (International publication number)：2000323736
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 信頼性の高いシリコン太陽電池を歩留まり良く製造できるシリコン太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 Siインゴットがスライスされたウエハを用いて太陽電池を製造する製造方法において、ウエハを等方性ウエットエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、ウエハがスライスされた時に生じる表面の加工変質層を除去する工程を含む。

Claim (excerpt)：

SiインゴットがスライスされたSiウエハを用いて太陽電池を製造する製造方法において、上記ウエハを等方性ウエットエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、上記ウエハがスライスされた時に生じる表面の加工変質層を除去する等方性エッチング工程を含むことを特徴とするシリコン太陽電池の製造方法。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (4)：

H01L 31/04 H ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/306 G

F-Term (20)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FG06 ,  4G077HA05 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043CC05 ,  5F043DD30 ,  5F043EE01 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051BA17 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-105760   Applicant：三菱電機株式会社
• 非ミラー状シリコンウェハーおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-282698   Applicant：内藤電誠工業株式会社
• シリコンウエハのエッチング液およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104408   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びこれを用いた半導体ウェハ裏面研磨処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-236613   Applicant：日立化成工業株式会社
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007253   Applicant：株式会社日立製作所