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J-GLOBAL ID：200903055210646757

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 福田 浩二 ,  武田 満喜
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991164161
Publication number (International publication number)：1993013418
Application date： Jul. 04, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 バンプを構成するCuメッキ層と最終絶縁膜とのオ-バラップ部分で、最終絶縁膜に内部応力が加わることによりクラックが発生するのを防止する。【構成】 半導体基板1上に第1絶縁膜2を介して設けられたボンディングパッド3上の最終絶縁膜4の開口部に、第2絶縁膜5を形成することによって所定の大きさの複数のバンプ形成部分に分割し、これらの分割部分のそれぞれにCr層6,Cu層7を介してCuメッキ層8を形成し、これらのCuメッキ層8の全体を覆うように半田層9を形成したことを特徴としている。【効果】 バンプ内部を分割したことにより、個々のCuメッキ層と最終絶縁膜とのオ-バラップ部分に加わる応力が極めて小さくなるので、最終絶縁膜へのクラックの発生が防止される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1絶縁膜を介して設けられたボンディングパッド上の最終絶縁膜の開口部に、バンプが形成された半導体装置において、前記バンプ内部を所定以下の大きさの所要形状に分割したことを特徴とする半導体装置。