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J-GLOBAL ID：200903055217412530
イオン注入装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992089756
Publication number (International publication number)：1993258710
Application date： Mar. 14, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 イオンビームを効率よく引き出すこと。【構成】 電子生成室内にて放電ガスをプラズマ化し、このプラズマ中の電子をイオン生成室内の原料ガスに衝突させてプラズマPを発生させるイオン源装置を用い、このイオン源装置が装着されるソースチャンバの外側にロ字形のコア部材5を配置し、その上下中央部の突起部にコイルを巻装して電磁石MA、MBを形成する。そして予め電源部6により励磁電流を調整して、注入すべきイオンのビーム電流の電流が最大となる磁場の強さを調べておき、イオンの種類に応じて磁場BZの強さを最適値に設定する。
Claim (excerpt)：
磁場を形成したプラズマ発生室内に原料ガスを導入してプラズマ化し、このプラズマからイオンビームを引き出すイオン注入装置において、注入すべきイオンの種類に応じて磁場の強さを設定することを特徴とするイオン注入装置。
IPC (3)：
H01J 37/317
, H01J 37/08
, H01L 21/265
