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J-GLOBAL ID：200903055218422971

MOSFET及びその製造方法

Inventor： 沖原 将生 ,  内田 英次
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016919
Publication number (International publication number)：1998214964
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ホットキャリアによるトランジスタ特性の劣化を抑え、デバイスの信頼性を向上させるMOSFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板1上のNチャネル領域とドレイン近傍で仕事関数の異なる2つの材質を繋ぎ合わせることにより、第1のゲート電極6、第2のゲート電極7を形成し、ドレイン近傍における反転閾値電圧が、チャネル領域の閾値電圧に比べて、仕事関数の差分だけ負方向にシフトするようにした。

Claim (excerpt)：

Nチャネル領域又はPチャネル領域とドレイン近傍で仕事関数の異なる2つの材質を繋ぎ合わせて第1のゲート電極と第2のゲート電極を形成するとともに、前記第2ゲート電極の一部に低濃度拡散ドレイン層の先端が位置することにより、前記ドレイン近傍における反転閾値電圧が、前記チャネル領域の閾値電圧に比べて、仕事関数の差分だけ負方向又は正方向にシフトするようにしたことを特徴とするMOSFET。