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J-GLOBAL ID:200903055256761097

窒化アルミニウム焼結体およびセラミック回路基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993051708
Publication number (International publication number):1994206772
Application date: Mar. 12, 1993
Publication date: Jul. 26, 1994
Summary:
【要約】【目的】高熱伝導率で且つ高強度であり、低温および短時間での焼成によって製造可能なAlN焼結体を提供すること。【構成】平均粒径2μm 以下の窒化アルミニウム粒子を有し、熱伝導率が80W/m/K以上で且つ相対密度が98%以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。平均一次粒径が0.01〜0.3μmで、不純物酸素量が1.5重量%を越え、7重量%以下のAlN粉末に焼結助剤を添加した後、成形し、非酸化性雰囲気中、1600°C以下で焼結させることによって製造される。
Claim (excerpt):
平均粒径2μm 以下の窒化アルミニウム粒子を有し、熱伝導率が80W/m/K以上で且つ相対密度が98%以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
IPC (2):
C04B 35/58 104 ,  H01B 3/12 337
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
  • 特開平1-313365
  • 特開昭63-195183
  • 特開昭61-281089
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