Pat
J-GLOBAL ID：200903055265995580
シリコン太陽電池素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992035052
Publication number (International publication number)：1993235385
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 太陽電池素子のセルの厚さを適切に選び効率を向上させる。【構成】 P型シリコン基板4の表面にN+ 拡散層3を設けテキスチャー構造7とする。裏面にBSFR層となるP+ 拡散層5と酸化膜8とP側電極6を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面に反射を低減させる構造を有する受光面を設け、半導体基板の裏面に酸化膜を形成し、セルの厚さを60μm以上でかつ150μm以下としたことを特徴とするシリコン太陽電池素子。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
