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J-GLOBAL ID：200903055272914600

誘電体薄膜の製造方法および装置

Inventor： 林 重徳 ,  飯島 賢二 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992215816
Publication number (International publication number)：1994057411
Application date： Aug. 13, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を、各種基板上に導電性被膜を介して合成する方法および装置を提供する。【構成】 誘電体薄膜形成装置に接続された形成槽内において、基板15上に直接、あるいは、緩衝層16を介して、導電性被膜17を形成する。引続き、あるいは、下地誘電体層18を形成した後、ペロブスカイト型酸化物誘電体薄19を形成する。

Claim (excerpt)：

ABO3で構成されるペロブスカイト型複合化合物に対し、真空槽内において、少なくとも1種の導電性被膜を基板上に形成したのち、その真空雰囲気を破ることなく、連続して基板上に堆積させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。ここで、Aサイトは、Pb、Ba、SrまたはLaの少なくとも1種、Bサイトは、TiおよびZrのうち少なくとも1種の元素を含む。

IPC (2)：

C23C 14/08 ,  H01L 27/04