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J-GLOBAL ID：200903055283942079

プラズマ処理装置

Inventor： 丸山 隆弘
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993010090
Publication number (International publication number)：1994224154
Application date： Jan. 25, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ電位、電子密度およびイオン密度の分布の不均一性を解消することにより、エッチングの均一性の向上および異方性の向上を図る。【構成】 反応容器1内に磁界を発生させ、かつマイクロ波を導入することにより反応容器1内の反応性ガスにECR放電を起こさせてプラズマを発生させるように電磁コイル3およびマイクロ波発生源4が設けられている。反応容器1内で発生したプラズマによりウエハ20にエッチングなどの処理が施されるようにウエハ20を載置するための試料台9が反応容器1内に設置されている。反応容器1は、第1の部分1aと、この第1の部分1aと絶縁部分1cにより絶縁された第2の部分1bとを有している。また、この第1の部分1aと第2の部分1bは、電源手段2aにより電位差が与えられるように構成されている。

Claim (excerpt)：

反応室内に置かれた基板の主表面の上方で電子サイクロトロン共鳴放電によるプラズマを発生させることにより、前記基板の主表面に所定の処理を施し、前記プラズマを包囲する周壁部を備えたプラズマ処理装置であって、前記周壁部は、第1の電圧を印加することができるように配置された第1の周壁部と、前記第1の周壁部と絶縁され、前記第1の電圧と異なる第2の電圧を印加することができるように配置された第2の周壁部と、前記第1および第2の周壁部にそれぞれ前記第1および第2の電圧を印加するための電源手段とを備えた、プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46