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J-GLOBAL ID：200903055286506741

制御された気孔を有する炭素薄膜の製造方法

Inventor： アブラハム ソファー ,  モシェ アザリア ,  アブラハム アマール ,  ハイム コーエン ,  ダン ゴラブ ,  シュロモ サグイー ,  ハイム トビアス
Applicant, Patent owner： ロテム インダストリーズ リミティド ,  アーゲーアー アクティエボラーグ
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048131
Publication number (International publication number)：1995051551
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Feb. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ガス分離炭素薄膜において、制御された条件下で炭素薄膜の気孔を狭化・再開口することによって炭素薄膜の透過度と選択性を独立に調節する方法を提供する。【構成】 或る気孔サイズ及び/又は所望の気孔サイズより大きい分布及び/又は或る分布を有する炭素薄膜に熱分解性の炭素含有ガスを接触させ、吸着された炭素含有ガスが熱分解する温度以上に該薄膜の周囲温度を高くし、薄膜の周囲の雰囲気から炭素含有ガスを実質的に除去し、薄膜を冷却する。さらに必要によりオキシダントの存在下で部分的に焼失させることにより気孔を部分的に大きくし、任意に選択した時間又は温度にて薄膜の透過度と選択性を検査し、必要によりこれらの過程を繰り返す。CVD物質のサイズは、所望とする吸着様式にしたがって、薄膜の気孔への侵入を許容又は防止するように選択することができる。

Claim (excerpt)：

次の過程を含んでなる制御された気孔を有する炭素薄膜の製造方法:a)或る気孔サイズ及び/又は所望の気孔サイズより大きい分布及び/又は或る分布を有する炭素薄膜に熱分解性の炭素含有ガスを接触させ、b)吸着された炭素含有ガスが熱分解する温度以上に該薄膜の周囲温度を高くし、c)薄膜の周囲の雰囲気から炭素含有ガスを実質的に除去し、d)薄膜を冷却する。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開2052-055383
  
• 特開平1-221518
  
• 特開昭62-121616
  
• 特開平4-193334