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J-GLOBAL ID：200903055293900935

縦型SOIデバイス

Inventor： 西岡 泰城 ,  生駒 俊明 ,  阿部 直樹
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996342026
Publication number (International publication number)：1998189764
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 0.1ミクロン以下のMOS 型トランジスタの実用化。【解決手段】 本発明においては、チャネルをSOI シリコン基板1と垂直に形成することにより、電子線リソグラフィを用いずに超微細なゲート長を持つ高性能のMOS 型トランジスタを形成する。CMOS構造も容易に形成される。さらには、このMOS 型トランジスタはチャネル部のボデーコンタクト11の形成が容易なため、従来問題となっていたフローティングボデー効果を制御できかつ、SOI 基板上に形成することにより、静電容量を減少させ低消費電力かつ高性能の集積回路を形成することができる。また、この縦型MOS 型トランジスタのゲート電位をしきい値以下に固定し、ボデーコンタクトをベースと定義すれば縦型バイポーラトランジスタとしても動作する。

Claim (excerpt)：

SOI 基板上に、それぞれソース/チャネル/ドレインを形成するn+ (p+ )シリコン層/p- (n- )シリコン層/n+ (p+ )シリコン層の積層膜が形成され、該SOI 基板に垂直な方向の該積層膜の断面にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜の表面にゲート電極が形成され縦型MOS トランジスタを形成していることを特徴とする縦形SOI デバイス。

IPC (5)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/78 653 D