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J-GLOBAL ID：200903055303144506

絶縁膜の形成方法

Inventor： 中野 正 ,  佐藤 伸良 ,  徳永 恭二
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993331453
Publication number (International publication number)：1995193061
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 耐水性に優れていることは勿論のこと、ステップカバレッジ特性が十分に向上された絶縁膜を簡単且つ効率よく形成する方法を提供する。【構成】 シリコン基板1上に、PSG膜2を介して配線パターン6を形成した後、全面に、一般式、(SiNX HY )n で表されるポリヒドロシラザン溶液を塗布し、次いで、不活性ガス雰囲気中で、前記ポリヒドロシラザン溶液を加熱・硬化し、SiN膜7を得る。

Claim (excerpt)：

半導体装置に使用される絶縁膜の形成方法であって、所望のパターンが形成された半導体基板上に、一般式、(SiNX HY )n で表されるポリヒドロシラザン溶液を塗布した後、不活性ガス雰囲気中で、前記ポリヒドロシラザン溶液を加熱・硬化する工程を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768