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J-GLOBAL ID:200903055308361726

光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001083020
Publication number (International publication number):2002280087
Application date: Mar. 22, 2001
Publication date: Sep. 27, 2002
Summary:
【要約】【課題】 漏れ電流の発生を十分に抑制できる光電極及び優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池の提供。【解決手段】 光電極10は透明電極1と、当該透明電極上に配置された第一の半導体層5と当該第一の半導体層上に配置された第二の半導体層6とからなる半導体電極とを有する。そして、第一の半導体層及び前記第二の半導体層を構成する半導体材料はアナタース型のTiO2である。第二の半導体層には、Al2O3、SiO2、ZrO2、SrTiO3、Nb2O5からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物粒子が含有されており、第一の半導体層には酸化物粒子が実質的に含有されていないことを特徴とする。
Claim (excerpt):
受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、前記半導体電極が前記透明電極に隣接して配置された第一の半導体層と当該第一の半導体層に隣接して配置された第二の半導体層とから構成されており、前記第一の半導体層及び前記第二の半導体層を構成する半導体材料がアナタース型の酸化チタン(IV)であり、前記第二の半導体層には、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、酸化ニオブ(V)からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物粒子が含有されており、かつ、前記第一の半導体層には前記酸化物粒子が実質的に含有されていないこと、を特徴とする光電極。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (15):
5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA18 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04

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