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J-GLOBAL ID：200903055316474890

少なくとも1個のIGBTを有する集積回路装置

Inventor： クラウス-ギユンター オツペルマン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996067233
Publication number (International publication number)：1996250733
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】 所要面積が僅かで、電圧逆転時の高電流によるIGBTの破壊を回避することのできるIGBTを有する集積回路装置を提供する。【解決手段】 ドリフト領域20と接続されている副接触部22を備えているIGBT及び副接触部22とIGBTの陽極21と接続されているダイオードを有する集積回路装置を形成する。その際ダイオードの陰極15はIGBTの陽極21と、またダイオードの陽極14はIGBTの副接触部22と接続させる。こうしてドリフト領域20及びチャネル領域により形成されるIGBTのpn接合はIGBTの内部フリー・ホイーリングとして利用可能となる。

Claim (excerpt)：

ドリフト領域(20)、チャネル領域(24)、ゲート誘電体(26)、ゲート電極(27)、ソース領域(25)、エミッタパターン(18)、ソース領域(25)及びチャネル領域(24)と接続されている陰極(28)、エミッタパターン(18)と接続されている陽極(21)及びドリフト領域(20)と接続されている副接触部(22)を有する少なくとも1個のIGBT(I)と、その陰極(15)がIGBT(I)の陽極(21)とまたその陽極(14)がIGBT(I)の副接触部(22)と接続されるようにIGBT(I)の副接触部(22)と陽極(21)との間に接続されているダイオード(D)とを有することを特徴とする集積回路装置。

FI (4)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 657 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-103175
  
• 特開平4-291766
  
• 特開平4-103175
  
• 特開平4-291766