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J-GLOBAL ID：200903055334639597

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992093860
Publication number (International publication number)：1993267247
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 酸化シリコン系材料層のドライエッチングにおいて、下地のシリコン系材料層へのダメージ発生を防止しながら高選択性を達成する。【構成】 CSF2 (フッ化チオカルボニル)をエッチング・ガスとして用い、単結晶シリコン基板1上のSiO2 層間絶縁膜3にコンタクト・ホール5を開口するためのエッチングを行う。放電解離条件下でCSF2 から生成するF* によるラジカル反応が、CFx + ,CS+ ,SFx + 等のイオンの入射エネルギーにアシストされながらエッチングが進行する。また、炭素系ポリマーとS(イオウ)とが側壁保護や下地選択性の確保に寄与するので、従来のように分子内にH原子を有する堆積性ガスを併用する必要がない。したがって、H+ による基板ダメージが回避できる。

Claim (excerpt)：

分子内に少なくともチオカルボニル基とフッ素原子とを有するチオカルボニル化合物を含むエッチング・ガスを用いて酸化シリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。