Pat
J-GLOBAL ID:200903055336793747

集積光学素子構造体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992310533
Publication number (International publication number):1994291404
Application date: Nov. 19, 1992
Publication date: Oct. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明の一つの目的は希土類イオン蛍光波長において動作するように設計された集積光学素子構造を提供するにあり、もう一つの目的は、このタイプの構造及び様々なアプリケーションを実現するための方法を提供することにある。【構成】 少なくとも一つの単結晶半導体材料基板上に堆積された(1-x)(M1-y M’y F2 )-xTRFz の構造式を持つ混合希土類フッ化物の薄膜から成る希土類イオン蛍光波長λ1 にて動作するように設計された集積光学素子構造体が提供されが、ここで、M及びM’はアルカリ土類イオンを表わし、TRFzは希土類フッ化物を表わし、xは]0,1[のレンジ内にあり、そしてyは[0,1]のレンジ内にある。この素子構造体は光学導波路を使用する電話通信に用途を持つ。
Claim (excerpt):
希土類イオン蛍光波長λ1 にて動作するように設計された集積光学素子構造体において、この構造体が単結晶半導体材料の基板上に堆積された(1-x)(M1-y M’y F2 )-x TRFzの構造式を持つ少なくとも一つの混合希土類フッ化物固溶体の薄膜を持ち、ここで、M及びM’がアルカリ土類イオンを表わし、TRFz が希土類フッ化物を表わし、xが]0,1[の範囲内にあり、yが[0,1]の範囲内にあることを特徴とする集積光学素子構造体。

Return to Previous Page