半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011223
Publication number (International publication number)：1998209507
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】電極や電流拡散層による光の遮断または減衰を引き起こすことなく、電流を充分に拡散させながら外部発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光層(活性層4)で発光する光を透過させる基板1と、該基板上に積層され前記発光層を含む半導体層2〜5と、該積層される半導体層の表面の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記積層される半導体層の一部が除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層5)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなる発光素子チップを有し、該発光素子チップ11の平面形状が長方形に形成され、前記第1および第2の電極が前記長方形の長手方向に分離して設けられている。

Claim (excerpt)：

発光層で発光する光を透過させる基板と、該基板上に積層され前記発光層を含む半導体層と、該積層される半導体層の表面の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記積層される半導体層の一部が除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなる発光素子チップを有し、該発光素子チップの平面形状が長方形に形成され、前記第1および第2の電極が前記長方形の長手方向に分離して設けられてなる半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-045983 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-107664 Applicant：日亜化学工業株式会社
LED素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-079909 Applicant：日亜化学工業株式会社

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