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J-GLOBAL ID：200903055343768006
半導体ウエハのバンプ電極めっき装置及びそのめっき方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992129449
Publication number (International publication number)：1993295589
Application date： Apr. 21, 1992
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 めっき槽にセットした半導体ウエハのめっき形状不良を抑え、チップ良品率を向上させる。【構成】 半導体ウエハ38の下側に設けられ、めっき液内に混入した気泡を半導体ウエハ38の外側方向に流す陽極Aと遮蔽板Bとでなる陽極部31と、外側方向に流されてくる気泡を捕獲し、気泡が半導体ウエハ38の下面に向かうのを止める間仕切板35とを備え、めっき液内の気泡が半導体ウエハ38の下面側に行かないようにしてめっきするようにした。
Claim (excerpt)：
めっき槽と、前記めっき槽の中におかれた陽極部および陰極部と、前記めっき槽中に半導体ウエハをセットするための手段と、めっき液を噴流させて半導体ウエハ上にバンプ電極を形成するめっき装置において、前記半導体ウエハの下側に設けられ、前記めっき槽内に混入した気泡を前記半導体ウエハの外側方向に流す手段と、前記外側方向に流されてくる前記気泡を捕獲し、前記気泡が前記半導体ウエハの下面に向かうのを阻止するための間仕切板とを備えたことを特徴とする半導体ウエハのバンプ電極めっき装置。
IPC (5)：
C25D 5/02
, C25D 17/06
, C25D 17/12
, H01L 21/288
, H01L 21/321
Cited by examiner (6)
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