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J-GLOBAL ID：200903055347827589

高分子材料の合成方法、高分子薄膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法

Inventor：
青井 信雄

About 青井 信雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  後藤 高志 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003099904
Publication number (International publication number)：2004002787
Application date： Apr. 03, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】膜中に分子レベルのサイズを持つ空孔を有し且つ高い架橋密度を有する有機高分子膜を確実に形成できるようにする。【解決手段】溶液中において、ルイス酸である第1のモノマーとルイス塩基である第2のモノマーとをルイス酸塩基反応させることにより、第1のモノマーと第2のモノマーとが弱い電気的相互作用により結合してなるモノマー付加体を生成する。次に、モノマー付加体を含む溶液を基板上に塗布して、モノマー付加体よりなる超分子固体薄膜を形成した後、該超分子固体薄膜を加熱して、超分子固体薄膜の内部において第1のモノマーと第2のモノマーとを重合反応させることにより、高分子薄膜を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
溶液状態のルイス酸とルイス塩基とを酸塩基相互作用により自己組織化させることによって超分子構造を形成する工程と、 前記超分子構造を構成する前記ルイス酸と前記ルイス塩基とを前記超分子構造を重合の反応場として重合させることによって重合体の立体構造を生成する工程とを備えていることを特徴とする高分子材料の合成方法。
IPC (2)：
C08G73/06 ,  H01L21/312
FI (2)：
C08G73/06 ,  H01L21/312 A
F-Term (22)：
4J043PA02 ,  4J043PA14 ,  4J043QB15 ,  4J043QB21 ,  4J043QB31 ,  4J043RA34 ,  4J043RA42 ,  4J043RA52 ,  4J043SA05 ,  4J043SA06 ,  4J043TA11 ,  4J043TA70 ,  4J043UA432 ,  4J043UA451 ,  4J043UA561 ,  4J043XA03 ,  4J043ZB11 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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