半導体製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小原肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994339274
Publication number (International publication number)：1996203832
Application date： Dec. 30, 1994
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】処理室へ供給する原料ガスの流量を正確に測定し、常に設定された流量で原料ガスを安定供給できる半導体製造装置を提供する。【構成】ガス配管26を介してソースタンク21内に貯留された原料液RL内にキャリアガスを供給し、気化させてTEOSガスを作り、これをガスからなるプロセスガスを配管24を介して処理室10内へ供給し、この10内で半導体ウエハWに所定の処理を施す。ガス配管26内に第1流量センサ28を、また配管24に第2流量センサ33を設け、これらは所定の定電流を流して自己発熱する発熱素子を有し、また温度変化により抵抗値が変化する白金抵抗線を有し、センサ28の発熱素子に対するセンサ33の発熱素子の電気的信号の差に基づいてTEOSガスの流量を測定、制御する。

Claim (excerpt)：

第1配管を介して容器内に貯留された原料液内にキャリアガスを供給し、このキャリアガスにより上記原料液を気化させて原料ガスを作り、この原料ガスとキャリアガスからなるプロセスガスを第2配管を介して処理室内へ供給し、この処理室内でプロセスガスにより被処理体に所定の処理を施す半導体製造装置において、上記第1配管内に第1流量センサを設けると共に上記第2配管に第2流量センサを設け、上記各流量センサはそれぞれ少なくとも所定の定電流を流して自己発熱する発熱素子を有すると共に各発熱素子は温度変化により抵抗値が変化する感熱導電線を有し、第1流量センサの発熱素子に対する第2流量センサの発熱素子の電気的信号の差に基づいて上記原料ガスの流量を測定、制御することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/52 , H01L 21/22 501

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-217474
感熱式流量センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-114726 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-278423

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