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J-GLOBAL ID：200903055360552483

金属又は金属シリサイドの薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： ハン・チヤン・ウル ,  小林 伸好 ,  五嶋 秀和 ,  本間 喜夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991158569
Publication number (International publication number)：1993129300
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】シリコンを含まない金属又は金属シリサイドの薄膜を高速で堆積させる薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】金属ハロゲン化物及びシリコンを含む還元性気体からなる原料ガスを用い、化学気相成長により金属又は金属シリサイドの薄膜を形成する薄膜形成方法において、該原料ガスは、形成される薄膜中のシリコンの原子濃度を抑制する機能を有するガスを含む薄膜形成方法。また、この方法を用いて半導体装置の配線等を形成する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

金属ハロゲン化物及びシリコンを含む還元性気体からなる原料ガスを用い、化学気相成長により金属又は金属シリサイドの薄膜を堆積する薄膜形成方法において、該原料ガスは、該薄膜中のシリコンの原子濃度を抑制する機能を有するガスを含むことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301