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J-GLOBAL ID:200903055368618432

近赤外乃至可視光領域用積層型光偏光制御素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宇井 正一 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993055900
Publication number (International publication number):1994265834
Application date: Mar. 16, 1993
Publication date: Sep. 22, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 構成成分膜間の付着力が高く、生産歩留りにすぐれ、近赤外乃至可視光領域において、波長依存性のない消光比および挿入損失を示す光偏光制御素子を提供する。【構成】 複数の誘電体膜1および半導体薄膜3が交互に積層され、前記半導体薄膜3が、半導体薄膜芯層4と、誘電体構成元素を含み、芯層4の両側に配置された半導体側面層5とからなり、好ましくは、誘電体膜1が、素子内光伝播が基本モードのみを示すように規定された厚さd2を有する、近赤外乃至可視光用積層型光偏光制御素子。
Claim (excerpt):
複数個の半導体薄膜と複数個の誘電体膜とが、交互に積層されている多層膜から素子であって、前記半導体薄膜の各が、(A)ゲルマニウム又はゲルマニウム合金からなる半導体薄膜芯層および(B)前記半導体薄膜芯層の両側に積層され、前記誘電体膜を構成している元素の1種を含み、かつ前記誘導体膜に接合している一対の半導体側面層からなることを特徴とする、近赤外乃至可視光領域用積層光偏光制御素子。
IPC (2):
G02F 1/015 505 ,  G02B 5/30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-072603
  • 特開昭61-140122
  • 特公昭59-022366
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