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J-GLOBAL ID：200903055375744583

発光素子およびその製造方法

Inventor： 遠藤 宏 ,  後藤 広将 ,  今井 秀秋 ,  宮田 邦男
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993048243
Publication number (International publication number)：1994029574
Application date： Mar. 09, 1993
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 発光素子として好適な窒化ガリウム系半導体積層構造を得ること。【構成】 オフ角が0.8度以下のサファイアR面基板上にc軸配向した窒化ガリウム系半導体積層構造を設けた半導体発光素子。【効果】 オフ角が0.8度以下のサファイア基板上に、表面が平坦で結晶性の良好な窒化ガリウム系半導体薄膜が積層した構造の半導体積層薄膜を得ることができる。可視光から紫外領域の発光素子として応用が可能であり、とくに青色発光素子として好適なものである。

Claim (excerpt)：

オフ角0.8度以下のサファイアR面基板上に直接に形成されたc軸方向に配向した窒化ガリウム系半導体層を有し、かつn型の単結晶窒化ガリウム系半導体層とp型あるいはi型からなる単結晶窒化ガリウム系半導体層からなる発光層を少なくとも一つ有し、その発光層に電圧を印加するために所望の部位に電極を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/86