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J-GLOBAL ID：200903055387139553
容量型加速度センサの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安孫子 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996269095
Publication number (International publication number)：1998096744
Application date： Sep. 20, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】 作業者にとって有毒なガスが発生することがなく、かつ、処理工程が簡素な製造方法を提供する。【解決手段】 枠体や第1及び第2の錘となる部分に対応するシリコン基板20の部位に対して、シリコンエッチングにより概略の形状の形成を行った後、所定の箇所、すなわち、完成後に空隙となる部位を除いたシリコン基板20の一方の面にNi膜を形成し、その後、リアクティブ・イオンビーム・エッチングによる貫通エッチングを施すことによって(図5(a)参照)、レーザ光を用いることなく完成後に空隙となる部分の形成(図5(b)参照)を行うようにしたものである。
Claim (excerpt)：
枠状に形成された枠体の内側に、少なくとも半導体材料からなる錘が、前記枠体を挟持するように前記枠体と接合された2つの絶縁基板との間で変位可能に支持されてなり、加速度に応じた前記錘の変位により生ずる前記錘と、前記絶縁基板に形成された固定電極との間の静電容量の変化が検出可能に構成されてなる容量型加速度センサの製造方法であって、半導体材料からなる基板における少なくとも前記枠体及び前記錘の形成箇所を決定するため、前記基板に対してフォトリソグラフィーによるシリコンエッチングを施し、前記半導体材料からなる基板を前記2つの絶縁基板の一方の絶縁基板上に載置し、所定の接合方法により両者を接合させ、完成状態において空隙となるべき前記基板の部位に対応する前記基板の一方の面にリアクティブ・イオンビーム・エッチングに対して耐腐食性を有する金属材料を蒸着し、この金属材料が蒸着されていない部位に対してリアクティブ・イオンビーム・エッチングによる貫通エッチングを施すことにより、前記枠体の内側において完成状態において空隙となる部位の形成を行うことを特徴とする容量型加速度センサの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
